拓荆科技以新工艺实现新突破，用新产能支撑新布局 区域高端制造业向技术密集型、系统集成型领域拓展的典范

　　中新网辽宁新闻10月28日电(季绍华) 近日，深圳那场2026湾区半导体产业生态博览会(湾芯展)，总部位于辽宁沈阳的拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”)发布非晶碳薄膜沉积技术Flowable Carbon，为先进存储和逻辑芯片制造中的复杂三维结构填充提供新的工艺选择。

　　两个月前，拓荆科技位于沈阳市浑南区的高端半导体设备产业化基地项目完成主体封顶。这座总投资近18亿元的新基地，计划于2028年投入使用，将进一步扩大企业高端半导体设备的研发制造能力。

　　从深圳展会的新技术发布，到沈阳制造基地的建设进展，拓荆科技正在通过持续的工艺研发、设备量产和产业布局，扩大在国内外半导体设备市场的业务覆盖范围。

　　并已成为辽宁省会城市沈阳市鲜有的区域高端制造业向技术密集型、系统集成型领域发展的科技创新典范。

　　芯片内部加工需求升级 催生新技术匹配新设备

　　近年来，人工智能、高性能计算及先进存储技术持续发展，推动芯片制造工艺向更复杂的三维结构演进。

　　以3D NAND闪存为例，随着存储单元堆叠层数提高，芯片内部需要加工的沟槽和孔洞越来越深，对薄膜沉积的填充能力、材料性能以及加工稳定性提出了新的要求。

　　在半导体制造中，薄膜沉积是形成芯片内部不同功能材料层的重要工序。传统设备不仅需要满足膜厚均匀性等基本要求，还要在越来越复杂的微观结构中控制材料的填充形态，减少空洞及其他缺陷。

　　此次拓荆科技发布的Flowable Carbon技术，主要针对复杂结构中的非晶碳薄膜填充需求，通过选择不同前驱体并控制工艺条件，形成具有不同填充性能的碳膜工艺。

　　该技术目前应用于NF-300M Supra-H设备平台，包含Capi-Carbon和Sedi-Carbon两种工艺方案。

　　其中，Capi-Carbon侧重于沟槽顶部覆盖及表面平坦化，为后续光刻、刻蚀等加工工序创造有利条件；Sedi-Carbon则采用自下而上的填充方式，重点面向高深宽比沟槽和孔洞，改善复杂结构中的填充完整性。

　　两种工艺分别对应不同的制造需求。对于先进存储芯片而言，材料能否按照预定方式填入微观结构，以及填充后能否满足后续工艺条件，直接影响相关制造步骤的实施。

　　拓荆科技方面在湾芯展期间介绍，随着3D NAND、DRAM及先进逻辑芯片技术发展，薄膜沉积设备的需求不仅来自晶圆厂新增产能，也来自工艺复杂度提高和既有生产线的技术升级。

　　目前，拓荆科技已围绕两种可流动碳膜工艺，与相关存储及逻辑芯片制造企业开展合作，推进不同工艺结构中的应用开发。

　　从单一薄膜制备向复杂结构填充拓展，反映出半导体装备企业正在通过新材料与新工艺开发，寻找更多先进制程应用机会。

　　构建全链条产业化竞争能力 突破研发验证实现晶圆厂量产

　　对于半导体设备企业而言，新工艺取得突破之后，还需要通过长时间的客户验证，才能真正进入生产线。

　　一台薄膜沉积设备不仅要满足薄膜性能指标，还要在连续生产过程中保持不同反应腔之间的工艺一致性，并兼顾设备运行时间、维护效率和晶圆处理能力。

　　拓荆科技长期从事半导体薄膜沉积设备研发，已经形成等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、次常压化学气相沉积(SACVD)等多条技术路线，并持续向先进制程和三维集成领域拓展。

　　此次湾芯展展示的PF-300M Supra-D，是拓荆科技高产能薄膜沉积设备平台的代表产品之一，是拓荆科技"面向高标准量产打造"的代表产品，这说明国产薄膜沉积设备已经走过了“能不能做出来”的阶段，进入了“能不能大规模稳定量产”阶段。

　　该系列通过多反应腔配置和独立腔室设计，提高设备对不同工艺需求的适应能力。

　　在实际生产中，多反应腔设备需要协调晶圆传输、工艺处理以及设备维护等环节。各腔室运行条件是否一致，设备能否长期保持稳定工作状态，都会影响晶圆厂的产能效率和生产成本。

　　近年来，拓荆科技的设备产业化规模持续扩大。

　　2026年半年报显示，截至6月底，拓荆科技累计出货超过3800个反应腔，其中基于pX和Supra-D的新型反应腔超过480个，产品进入约100条芯片生产线。

　　同期，企业薄膜沉积设备在客户端生产线的累计流片量约6亿片，客户端设备平均稳定运行时间超过90%。

　　这些数据反映出企业既有设备和工艺体系已经形成一定规模的量产应用基础。与此同时，先进制程新产品的产业化仍需要针对不同客户的设备配置及生产工艺，分别开展验证和适配。

　　拓荆科技方面介绍，新设备首次进入先进制程客户产线，通常需要经历数月甚至更长时间的工艺匹配和可靠性验证。完成首次验证后，产品要实现跨生产线应用及持续追加采购，仍需要保持稳定的技术性能与交付能力。

　　随着应用场景不断扩大，研发、制造、客户现场服务以及供应链管理，正在共同构成高端半导体装备企业的产业化竞争能力。

　　扩大沈阳基地制造能力，拓展三维集成等新领域

　　拓荆科技成立于2010年，总部位于沈阳市浑南区。经过多年发展，企业已形成薄膜沉积和三维集成设备产品体系，并在全国多个地区布局研发、制造及客户服务资源。

　　今年8月10日，拓荆科技沈阳高端半导体设备产业化基地项目完成主体结构封顶。

　　该项目由拓荆科技及其全资子公司共同投资建设，占地147亩，总建筑面积约15.6万平方米，规划建设洁净生产车间、智能化仓储设施、研发中心以及测试实验室等。

　　按照建设计划，新基地预计2028年投入使用，建成后将成为拓荆科技重要的研发制造中心，沈阳总部基地最大产能规模有望达到每年1000余台设备。

　　这一项目将为PECVD、SACVD、HDPCVD等高端薄膜沉积设备的规模化制造，以及相关新产品研发和技术迭代提供进一步的空间与设施支撑。

　　这一事实，侧面佐证了以拓荆科技为行业龙头的“国产设备能力”正在沈阳被物理性地放大。

　　在扩大制造能力的同时，拓荆科技还在向三维集成等新兴工艺领域拓展。

　　随着高带宽存储器(HBM)、芯粒(Chiplet)和异构集成技术发展，芯片之间的高密度连接成为重要制造需求，带动混合键合、熔融键合及配套量检测设备的技术开发。

　　拓荆科技目前已形成覆盖多种键合方式及相关量检测环节的产品布局，并逐步将技术能力延伸至键合界面检测、空洞修复等工艺环节。

　　与此同时，企业还在通过产业整合探索新的设备技术领域。

　　10月16日，拓荆科技披露发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金报告书草案，拟以合计25亿元交易对价收购无锡尚积半导体科技股份有限公司相关股权及两家持股平台股权。交易完成后，拓荆科技将直接及间接持有无锡尚积100%股份。

　　无锡尚积的业务涉及物理气相沉积(PVD)及刻蚀设备。若此次交易顺利完成，相关技术有望与拓荆科技现有的薄膜沉积、键合及量检测业务形成互补，进一步扩大企业在半导体制造工艺中的产品覆盖范围。交易目前仍需履行后续审议和注册程序。

　　从高端薄膜沉积设备到三维集成装备，再到新工艺研发与产业整合，拓荆科技正在探索多种技术能力之间的协同。

　　对于辽宁半导体装备产业而言，拓荆科技的新产品开发和沈阳制造基地建设，提供了观察区域高端制造业向技术密集型、系统集成型领域发展的一个具体案例。

　　随着先进芯片制造对设备性能和制造复杂度提出更高要求，沈阳新基地未来的产能释放、新工艺的客户导入以及跨工艺产品线的持续发展，将成为观察这家辽宁半导体装备企业后续成长的重要方面。